AOD421参数：MOSFET P-CH 20V 12.5A TO252
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,500系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：12.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：75 毫欧 @ 12.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.6nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：620pF @ 10V功率 - 最大值：2W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）
