AOTF11S65L参数：MOSFET N-CH 650V 11A TO220F
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：50系列：aMOS™包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：650V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：11A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：399 毫欧 @ 5.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13.2nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：646pF @ 100V功率 - 最大值：31W安装类型：通孔封装：TO-220-3 整包供应商器件封装：TO-220F
