APL5509-18DC

APL502B2G
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APL502B2G参数：MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： T-MAXFront
标准包装：30
系列：-
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：58A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：90毫欧@29A，12V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@2.5mA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：-
不同Vds时的输入电容(Ciss)：9000pF@25V
功率-最大值：730W
安装类型：通孔
封装：TO-247-3变式
供应商器件封装：T-MAX?[B2]