APT102GA60B2

APT102GA60B2
PDF资料下载

APT102GA60B2参数：IGBT 600V 183A 780W TO247

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：30
系列：POWER MOS 8™
包装：管件
IGBT 类型：PT
电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.5V @ 15V，62A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：183A
Current - Collector Pulsed (Icm)：307A
功率 - 最大值：780W
Switching Energy：1.354mJ (开), 1.614mJ (关)
输入类型：标准
Gate Charge：294nC
Td (on/off) A 25°C：28ns/212ns
Test Condition：400V, 62A, 4.7 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-247-3 变式
安装类型：通孔
供应商器件封装：*