APT15GN120KG参数:IGBT 1200V 45A 195W TO220
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:POWER MOS 7®包装:管件IGBT 类型:沟道和场截止电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,15A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):45ACurrent - Collector Pulsed (Icm):45A功率 - 最大值:195WSwitching Energy:410µJ (开), 950µJ (关)输入类型:标准Gate Charge:90nCTd (on/off) A 25°C:10ns/150nsTest Condition:800V, 15A, 4.3 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-220-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-220 [K]