APT18M100B参数：MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： TO-247Front标准包装：30系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：1000V（1kV）电流-连续漏极(Id)（25°C时）：18A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：700毫欧@9A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：150nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4845pF@25V功率-最大值：625W安装类型：通孔封装：TO-247-3供应商器件封装：TO-247[B]
