APT26M100JCU2参数：MOSFET N CH 1000V 26A SIC SOT227
类别：半导体模块-FET标准包装：1系列：POWER MOS 8™包装：散装FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：碳化硅 (SiC)漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：26A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：396 毫欧 @ 18A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：305nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7868pF @ 25V功率 - 最大值：543W安装类型：底座安装封装：SOT-227-4，miniBLOC供应商器件封装：SOT-227
