APT28M120B2参数：MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： T-MAXFront标准包装：30系列：POWERMOS8™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：1200V（1.2kV）电流-连续漏极(Id)（25°C时）：29A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：560毫欧@14A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@2.5mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：300nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：9670pF@25V功率-最大值：1135W安装类型：通孔封装：TO-247-3变式供应商器件封装：T-MAX?[B2]
