APT31M100B2参数：MOSFET N-CH 1000V 32A T-MAX
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：30系列：POWER MOS 8™包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：32A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：380 毫欧 @ 16A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：260nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8500pF @ 25V功率 - 最大值：1040W安装类型：通孔封装：TO-247-3 变式供应商器件封装：T-MAX? [B2]
