APT31M100L参数：MOSFET N-CH 1000V 32A TO264
类别：分立半导体产品-FET - 单产品培训模块： MOS8QuietSwitching产品目录绘图： TO-264(L)标准包装：25系列：POWERMOS8™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：1000V（1kV）电流-连续漏极(Id)（25°C时）：32A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：400毫欧@16A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@2.5mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：260nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：8500pF@25V功率-最大值：1040W安装类型：通孔封装：TO-264-3，TO-264AA供应商器件封装：TO-264
