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APT33GF120B2RD

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相关型号： APT32M80J APT32F120J APT3216ZGCK APT3216ZGC APT3216YC APT3216VBC/D

APT33GF120B2RDQ2G
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APT33GF120B2RDQ2G参数：IGBT 1200V 64A 357W TMAX

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
产品目录绘图： T-MAXFront
标准包装：30
系列：-
包装：管件
IGBT类型：NPT
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：3V@15V，25A
电流-集电极(Ic)（最大值）：64A
Current-CollectorPulsed(Icm)：75A
功率-最大值：357W
SwitchingEnergy：1.315µJ(开),1.515µJ(关)
输入类型：标准
GateCharge：170nC
Td(on/off)A25°C：14ns/185ns
TestCondition：800V,25A,4.3欧姆,15V
反向恢复时间(trr)：-
封装：TO-247-3变式
安装类型：通孔
供应商器件封装：*

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