APT35GT120JU3参数：IGBT 1200V 55A 260W SOT227
类别：半导体模块-IGBT标准包装：1系列：-IGBT 类型：沟道和场截止配置：单一电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.1V @ 15V，35A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：55A电流 - 集电极截止（最大值）：5mA不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：2.53nF @ 25V功率 - 最大值：260W输入：标准NTC 热敏电阻：无安装类型：底座安装封装：ISOTOP供应商器件封装：SOT-227
