APT40GP60SG参数:IGBT 600V 100A 543W D3PAK
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:POWER MOS 7®包装:管件IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.7V @ 15V,40A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100ACurrent - Collector Pulsed (Icm):160A功率 - 最大值:543WSwitching Energy:385µJ (开), 352µJ (关)输入类型:标准Gate Charge:135nCTd (on/off) A 25°C:20ns/64nsTest Condition:400V, 40A, 5 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA安装类型:表面贴装供应商器件封装:D3 [S]