APT45GD120JDQ2

APT45GP120B2DQ2G
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APT45GP120B2DQ2G参数：IGBT 1200V 113A 625W TMAX

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
产品目录绘图： T-MAXFront
标准包装：30
系列：POWERMOS7®
包装：管件
IGBT类型：PT
电压-集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：3.9V@15V，45A
电流-集电极(Ic)（最大值）：113A
Current-CollectorPulsed(Icm)：170A
功率-最大值：625W
SwitchingEnergy：900µJ(开),905µJ(关)
输入类型：标准
GateCharge：185nC
Td(on/off)A25°C：18ns/100ns
TestCondition：600V,45A,5欧姆,15V
反向恢复时间(trr)：-
封装：TO-247-3变式
安装类型：通孔
供应商器件封装：*