APT45GP120J参数:IGBT 1200V 75A 329W SOT227
类别:半导体模块-IGBT产品目录绘图: SOT-227Top标准包装:10系列:POWERMOS7®IGBT类型:PT配置:单一电压-集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic时的?Vce(on):3.9V@15V,45A电流-集电极(Ic)(最大值):75A电流-集电极截止(最大值):500µA不同?Vce时的输入电容(Cies):3.94nF@25V功率-最大值:329W输入:标准NTC热敏电阻:无安装类型:底座安装封装:ISOTOP供应商器件封装:ISOTOP?