APT45M100J参数：MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227
类别：半导体模块-FET产品目录绘图： SOT-227Top标准包装：10系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：1000V（1kV）电流-连续漏极(Id)（25°C时）：45A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：180毫欧@33A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@2.5mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：570nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：18500pF@25V功率-最大值：960W安装类型：底座安装封装：SOT-227-4，miniBLOC供应商器件封装：SOT-227
