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APT50GP60B2DQ2G

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APT50GP60B2DQ2G
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APT50GP60B2DQ2G参数：IGBT 600V 150A 625W TMAX

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
产品目录绘图： T-MAXFront
标准包装：30
系列：POWERMOS7®
包装：管件
IGBT类型：PT
电压-集射极击穿（最大值）：600V
不同?Vge、Ic时的?Vce(on)：2.7V@15V，50A
电流-集电极(Ic)（最大值）：150A
Current-CollectorPulsed(Icm)：190A
功率-最大值：625W
SwitchingEnergy：465µJ(开),635µJ(关)
输入类型：标准
GateCharge：165nC
Td(on/off)A25°C：19ns/85ns
TestCondition：400V,50A,4.3欧姆,15V
反向恢复时间(trr)：-
封装：TO-247-3变式
安装类型：通孔
供应商器件封装：*

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