APT60GA60JD60参数：IGBT 600V 112A 356W SOT-227
类别：半导体模块-IGBT标准包装：10系列：POWER MOS 8™IGBT 类型：PT配置：单一电压 - 集射极击穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.5V @ 15V，62A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：112A电流 - 集电极截止（最大值）：275µA不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：8.01nF @ 25V功率 - 最大值：356W输入：标准NTC 热敏电阻：无安装类型：底座安装封装：SOT-227-4，miniBLOC供应商器件封装：ISOTOP?
