APT64GA90B2D30参数:IGBT 900V 117A 500W TO-247
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:POWER MOS 8™包装:管件IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):900V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):3.1V @ 15V,38A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):117ACurrent - Collector Pulsed (Icm):193A功率 - 最大值:500WSwitching Energy:1192µJ (开), 1088µJ (关)输入类型:标准Gate Charge:162nCTd (on/off) A 25°C:18ns/131nsTest Condition:600V, 38A, 4.7 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:*