APT65GP60L2DQ2G参数:IGBT 600V 198A 833W TO264
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路产品目录绘图: TO-264Front标准包装:30系列:POWERMOS7®包装:管件IGBT类型:PT电压-集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic时的?Vce(on):2.7V@15V,65A电流-集电极(Ic)(最大值):198ACurrent-CollectorPulsed(Icm):250A功率-最大值:833WSwitchingEnergy:605µJ(开),895µ:J(关)输入类型:标准GateCharge:210nCTd(on/off)A25°C:30ns/90nsTestCondition:400V,65A,5欧姆,15V反向恢复时间(trr):-封装:TO-264-3,TO-264AA安装类型:通孔供应商器件封装:*