APT68GA60B参数:IGBT 600V 121A 520W TO-247
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:30系列:POWER MOS 8™包装:管件IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.5V @ 15V,40A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):121ACurrent - Collector Pulsed (Icm):202A功率 - 最大值:520WSwitching Energy:715µJ (开), 607µJ (关)输入类型:标准Gate Charge:298nCTd (on/off) A 25°C:21ns/133nsTest Condition:400V, 40A, 4.7 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:TO-247-3安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B]