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APT75GN120B2

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相关型号： APT75F50L APT75F50B2 APT75DQ60BG APT75DQ120BG APT75DQ100BG APT70GR120L

APT75GN120B2G
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APT75GN120B2G参数：IGBT 1200V 200A 833W TMAX

类别：分立半导体产品-IGBT - 单路
标准包装：30
系列：-
包装：管件
IGBT 类型：沟道和场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.1V @ 15V，75A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：200A
Current - Collector Pulsed (Icm)：225A
功率 - 最大值：833W
Switching Energy：8045µJ (开), 7640µJ (关)
输入类型：标准
Gate Charge：425nC
Td (on/off) A 25°C：60ns/620ns
Test Condition：800V, 75A, 1 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr)：-
封装：TO-247-3 变式
安装类型：通孔
供应商器件封装：*

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