APT75GN120J参数:IGBT 1200V 124A 379W SOT227
类别:半导体模块-IGBT标准包装:30系列:-IGBT 类型:沟道和场截止配置:单一电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,75A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):124A电流 - 集电极截止(最大值):100µA不同?Vce 时的输入电容 (Cies):4.8nF @ 25V功率 - 最大值:379W输入:标准NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装:ISOTOP供应商器件封装:ISOTOP?