APT80GA90LD40参数:IGBT 900V 145A 625W TO-264
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:25系列:POWER MOS 8™包装:管件IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):900V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):3.1V @ 15V,47A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):145ACurrent - Collector Pulsed (Icm):239A功率 - 最大值:625WSwitching Energy:1652µJ (开), 1389µJ (关)输入类型:标准Gate Charge:200nCTd (on/off) A 25°C:18ns/149nsTest Condition:600V, 47A, 4.7 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):25ns封装:TO-264-3,TO-264AA安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264