APT85GR120L参数:IGBT SINGLE
类别:分立半导体产品-IGBT - 单路标准包装:25系列:-包装:*IGBT 类型:NPT电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):3.2V @ 15V,85A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):170ACurrent - Collector Pulsed (Icm):340A功率 - 最大值:962WSwitching Energy:6mJ (开), 3.8mJ (关)输入类型:标准Gate Charge:660nCTd (on/off) A 25°C:43ns/300nsTest Condition:600V, 85A, 4.3 欧姆, 15V反向恢复时间 (trr):-封装:*安装类型:*供应商器件封装:*