APTC60HM35T3G参数：MOSFET FULL BRIDGE 600V 72A SP3
类别：半导体模块-FET标准包装：1系列：-包装：散装FET 类型：4 个 N 通道（H 桥）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：72A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：35 毫欧 @ 72A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 5.4mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：518nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14000pF @ 25V功率 - 最大值：416W安装类型：底座安装封装：SP3供应商器件封装：SP3
