APTC60HM83FT2G参数:MOSFET N CH 600V 36A
类别:半导体模块-FET标准包装:1系列:CoolMOS™包装:*FET 类型:2 个 N 通道(半桥)FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):600V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):36A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):83 毫欧 @ 18A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 3mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):255nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7290pF @ 25V功率 - 最大值:250W安装类型:*封装:*供应商器件封装:*