APTC60AM18SCG参数:MOSFET 2N CH 600V 143A SIC SP6
类别:半导体模块-FET标准包装:1系列:CoolMOS™包装:散装FET 类型:2 个 N 通道(半桥)FET 功能:碳化硅 (SiC)漏源极电压 (Vdss):600V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):143A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):18 毫欧 @ 71.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 4mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1036nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):28000pF @ 25V功率 - 最大值:833W安装类型:底座安装封装:SP6供应商器件封装:SP6