APTGF200U120DG参数:IGBT 1200V 275A 1136W SP6
类别:半导体模块-IGBT标准包装:1系列:-IGBT 类型:NPT配置:单一电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):3.7V @ 15V,200A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):275A电流 - 集电极截止(最大值):500µA不同?Vce 时的输入电容 (Cies):13.8nF @ 25V功率 - 最大值:1136W输入:标准NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装:SP6供应商器件封装:SP6