APTGF200U120DG参数：IGBT 1200V 275A 1136W SP6
类别：半导体模块-IGBT标准包装：1系列：-IGBT 类型：NPT配置：单一电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：3.7V @ 15V，200A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：275A电流 - 集电极截止（最大值）：500µA不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：13.8nF @ 25V功率 - 最大值：1136W输入：标准NTC 热敏电阻：无安装类型：底座安装封装：SP6供应商器件封装：SP6
