APTGFQ25H120T2G参数:IGBT 1200V 40A 227W MODULE
类别:半导体模块-IGBT标准包装:1系列:-IGBT 类型:NPT 型和场截止型配置:全桥电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,25A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40A电流 - 集电极截止(最大值):250µA不同?Vce 时的输入电容 (Cies):2.02nF @ 25V功率 - 最大值:227W输入:标准NTC 热敏电阻:是安装类型:通孔封装:SP2供应商器件封装:SP2