APTGT100DA120D1G参数：IGBT 1200V 150A 520W D1
类别：半导体模块-IGBT标准包装：1系列：-IGBT 类型：沟道和场截止配置：单一电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.1V @ 15V，100A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150A电流 - 集电极截止（最大值）：3mA不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：7nF @ 25V功率 - 最大值：520W输入：标准NTC 热敏电阻：无安装类型：底座安装封装：D1供应商器件封装：D1
