APTGT100H60T3G参数：IGBT FULL BRIDGE 600V 150A SP3
类别：半导体模块-IGBT标准包装：1系列：-IGBT 类型：沟道和场截止配置：全桥反相器电压 - 集射极击穿（最大值）：600V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：1.9V @ 15V，100A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：150A电流 - 集电极截止（最大值）：250µA不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：6.1nF @ 25V功率 - 最大值：340W输入：标准NTC 热敏电阻：是安装类型：底座安装封装：SP3供应商器件封装：SP3
