APTGT200DH120G参数:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
类别:半导体模块-IGBT标准包装:1系列:-IGBT 类型:沟道和场截止配置:非对称桥电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,200A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):280A电流 - 集电极截止(最大值):350µA不同?Vce 时的输入电容 (Cies):14nF @ 25V功率 - 最大值:890W输入:标准NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装:SP6供应商器件封装:SP6