APTGT200A120D3G参数：IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
类别：半导体模块-IGBT标准包装：1系列：-IGBT 类型：沟道和场截止配置：半桥电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on)：2.1V @ 15V，200A电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：300A电流 - 集电极截止（最大值）：6mA不同?Vce 时的输入电容 (Cies)：14nF @ 25V功率 - 最大值：1040W输入：标准NTC 热敏电阻：无安装类型：底座安装封装：D3供应商器件封装：D3
