APTGT35SK120D1G参数:IGBT 1200V 55A 205W D1
类别:半导体模块-IGBT标准包装:1系列:-IGBT 类型:沟道和场截止配置:单一电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,35A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):55A电流 - 集电极截止(最大值):5mA不同?Vce 时的输入电容 (Cies):2.5nF @ 25V功率 - 最大值:205W输入:标准NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装:D1供应商器件封装:D1