APTGT75SK120TG参数:IGBT 1200V 110A 357W SP4
类别:半导体模块-IGBT标准包装:1系列:-IGBT 类型:沟道和场截止配置:单一电压 - 集射极击穿(最大值):1200V不同?Vge、Ic 时的?Vce(on):2.1V @ 15V,75A电流 - 集电极 (Ic)(最大值):110A电流 - 集电极截止(最大值):250µA不同?Vce 时的输入电容 (Cies):5.34nF @ 25V功率 - 最大值:357W输入:标准NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装:SP4供应商器件封装:SP4