APTM100A13SCG参数:PWR MODULE MOSFET 1000V 65A SP6
类别:半导体模块-FET标准包装:1系列:-包装:散装FET 类型:2 个 N 通道(半桥)FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):65A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):156 毫欧 @ 32.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 6mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):562nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):15200pF @ 25V功率 - 最大值:1250W安装类型:底座安装封装:SP6供应商器件封装:SP6