APTM100A23SCTG参数:MOSFET PHASE LEG SER/SIC DIO SP4
类别:半导体模块-FET标准包装:1系列:-包装:散装FET 类型:2 个 N 通道(半桥)FET 功能:碳化硅 (SiC)漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):36A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):270 毫欧 @ 18A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):308nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8700pF @ 25V功率 - 最大值:694W安装类型:底座安装封装:SP4供应商器件封装:SP4