APTM100H45FT3G参数:MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP3
类别:半导体模块-FET标准包装:1系列:-包装:散装FET 类型:4 个 N 通道(H 桥)FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):18A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):540 毫欧 @ 9A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):154nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4350pF @ 25V功率 - 最大值:357W安装类型:底座安装封装:SP3供应商器件封装:SP3