APTM100U13SG参数：MOSFET N-CH 1000V 65A J3
类别：半导体模块-FET标准包装：1系列：-包装：散装FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：65A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：145 毫欧 @ 32.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 10mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2000nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：31600pF @ 25V功率 - 最大值：1250W安装类型：底座安装封装：J3 模块供应商器件封装：模块
