APTM100UM65DAG参数：MOSFET N-CH 1000V 145A SP6
类别：半导体模块-FET标准包装：1系列：-包装：散装FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：1000V（1kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：145A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：78 毫欧 @ 72.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 20mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：1068nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：28500pF @ 25V功率 - 最大值：3250W安装类型：底座安装封装：SP6供应商器件封装：SP6
