APTM100A12STG参数:MOSFET PHASE LEG SCHTKY/PAR LP8W
类别:半导体模块-FET标准包装:1系列:-包装:散装FET 类型:2 个 N 通道(半桥)FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):1000V(1kV)电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):68A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 34A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):616nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):17400pF @ 25V功率 - 最大值:1250W安装类型:底座安装封装:SP3供应商器件封装:SP3