APTM10DHM09TG参数：MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP4
类别：半导体模块-FET标准包装：1系列：-包装：散装FET 类型：2 N 沟道（非对称桥）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：139A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：10 毫欧 @ 69.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2.5mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：350nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：9875pF @ 25V功率 - 最大值：390W安装类型：底座安装封装：SP4供应商器件封装：SP4
