APTM120A20DG参数：MOSFET MOD PHASE LEG SER DIO SP6
类别：半导体模块-FET标准包装：1系列：-包装：散装FET 类型：2 个 N 通道（半桥）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：50A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：240 毫欧 @ 25A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 6mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：600nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：15200pF @ 25V功率 - 最大值：1250W安装类型：底座安装封装：SP6供应商器件封装：SP6
