APTM120H140FT1G参数：MOSFET MOD FULL BRIDGE 1200V SP1
类别：半导体模块-FET标准包装：1系列：-包装：散装FET 类型：4 个 N 通道（H 桥）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.68 欧姆 @ 7A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：145nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3812pF @ 25V功率 - 最大值：208W安装类型：底座安装封装：SP1供应商器件封装：SP1
