APTM120SK56T1G参数：MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
类别：半导体模块-FET标准包装：1系列：-包装：散装FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：18A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：672 毫欧 @ 14A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：300nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7736pF @ 25V功率 - 最大值：390W安装类型：底座安装封装：SP1供应商器件封装：SP1
