APTM50AM19STG参数：MOSFET MOD PHASELEG SER/SIC LP8W
类别：半导体模块-FET标准包装：1系列：-包装：散装FET 类型：2 个 N 通道（半桥）FET 功能：碳化硅 (SiC)漏源极电压 (Vdss)：500V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：170A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 85A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 10mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：492nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：22400pF @ 25V功率 - 最大值：1250W安装类型：底座安装封装：SP4供应商器件封装：SP4
