APTM50DHM38G参数：MOSFET MOD ASYMMETRIC BRIDGE SP6
类别：半导体模块-FET标准包装：1系列：-包装：散装FET 类型：2 N 沟道（非对称桥）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：500V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：90A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 45A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：246nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：11200pF @ 25V功率 - 最大值：694W安装类型：底座安装封装：SP6供应商器件封装：SP6
