AT-41435G参数:TRANS NPN BIPO 12V 60MA 35-SMD
类别:分立半导体产品-RF 晶体管 (BJT)PCNObsolescence: MultipleDevices18/Mar/2013标准包装:100系列:-包装:散装晶体管类型:NPN电压-集射极击穿(最大值):12V频率-跃迁:8GHz噪声系数(dB,不同f时的典型值):1.3dB~3dB@1GHz~4GHz增益:10dB~18.5dB功率-最大值:500mW不同?Ic、Vce?时的DC电流增益(hFE)(最小值):30@10mA,8V电流-集电极(Ic)(最大值):60mA安装类型:表面贴装封装:4-SMD(35micro-X)供应商器件封装:35micro-X